43.天赋异禀(第1/2 页)

计算机系的邹远清邹主任听得很兴奋，抚掌而笑，觉得姚夏简直就是为计算机量身打造的。

可旁边张科潜的脸色并不是特别好看。

领导让邹远清过来进行考核，主要是因为姚夏在信件里面只展现了自己的编码技术，这是一个更适合计算机专业的能力，可张科潜这边是搞无线电的，又分为强电和弱点，强电是搞电机发电相关，以后主要是去国家电网工作，弱点呢主要是无线电通信啊，集成电路啊这些。

从目前对姚夏的一点点来看，确实更应该让他去计算机系，而不是来自己这里。

可张主任不甘心啊，于是他又试探性地问到：“你除了对编程方面之外，你对集成电路有了解吗？”

姚夏猛点头，我就是学这个的。

虽然是三十多年以后的武大的微电子。

张科潜眼睛突然一亮，有一种峰回路转的感觉，“那你说说芯片功耗的问题，功耗是怎么产生的，有什么办法可以缓解？”

姚夏微微一愣。

咦？86年的清大教授，系主任就问这么简单的问题？

“芯片功耗，大体上可以分为两个大类，”姚夏老老实实回答到，“动态功耗和静态功耗，其中动态功耗又分为内部功耗，也就是寄生参数充放电时产生的功耗，还有就是翻转功耗，当晶体管负载充放电带来的功耗。”

“静态功耗呢，主要就是漏电功耗，又包括3个部分，一是亚阈值电流，os的g级为0时，管子处于截至状态，s和d之间存在微量漏电流。

第二，反偏pn节电流：扩散层与衬底之间的漏电电流。

第三是，栅极隧穿电流：os的工艺越来越小后，g极的二氧化硅会变得越来越薄，当薄至和电子，空穴的德布罗意波的波长近似时，电子会击穿栅极，产生栅漏电流。”

姚夏接着说到，“芯片封装都较小，如果功耗过大，则能量密度太大，功耗还会影响到芯片内部甚至外部的电源网络架构设计。高功率带来温度提升，会使性能受影响，时序跑不高，所以我们都希望能够让芯片所产生的功耗尽可能的小，最好是无限趋近于零，但这是不可能的事情。

至于缓解的方法嘛……”

姚夏仔细思考着，他其实知道很多未来的方法，但是说出来就有点太超纲了，比如说三星公司研发的20n‘绿色记忆体’芯片，可以将工作电压从15v降低至135v，直接节省67的功耗。

还有英特尔公司提出来但是一直没有实现的3d芯片架构……

这些都是没法说的东西。

“现在我们能做的也就几个方面吧，最主要的呢就是在源头设计上，就尽可能的考虑到功耗问题，另外呢，就是考虑研发新型的材料，还有就是设计用来实时监控电压的调节功能系统。”

一般来说，供电电压和时脉速度越低，功耗就越低。然而性能也受到影响。可以采用新的微控制器。

“还有就是想办法研究出功耗更低，但是却能满足需求的新型材料。”

比如说未来的碳纳米管，在这方面就有很高的优势，只不过一直没有找到很好的制作大型集成电路的方法，无法进行批量生产和商业化。

……

听到这里，张科潜和王祚英都陷入了深深的沉思之中，不得不说姚夏给了他们很好的启发。

因为在此之前，他们还真的没有特别好的办法，最后这个采用新的微控制器来自动调节的想法真的如同神来之笔一样。

可是再继续问，姚夏却说自己也只是从原理上入手提出来的想法，具体的他也不知道。

是哈。

张科潜点点头，半站起来的屁股又坐了回去。

冲动了冲动了。

几个老教授一时听得兴起，确实期望过高了。

一个年轻人，能从原理分析出这么多东西已经相当不错了，你还想什么呢，要求别人给解决方案？

这些老家伙们都在为之努力，姚夏年纪轻轻的，他又能做到什么程度？

随后几个教授轮番问了一些关于芯片制造和设计，以及编程相关的问题，姚夏都一一回答。

……

王祚英教授现场还给姚夏出了一道题目：

设计一个os反相器，要求在驱动10ff外部负载电容的情况下，输出上升时间和下降时间都不能大于40ps，并要求最大噪声容限不小于055v……并且给了姚夏一些必要参数。